记忆体测试市场去年热到今年。由于DRAM因为主流规格由DDR转至DDR2，NAND快闪记忆体跨入高容量世代，四Gb NAND晶片下半年将成为主流，加上记忆体厂制程微缩至九○奈米世代，至目前为止，DRAM及NAND晶片测试产能仍供不应求，不仅业者将调涨第二季高阶机台T5593每小时接单合约价（hourly rate）约一成以上，然因主要测试厂如力成、泰林等至今仍没有扩产计划，产能吃紧将延续到下半年。

    然而在NOR快闪记忆体测试市场部份，去年中旬受到上游供应商超微富士通、英特尔等杀价竞争影响，不仅严重压缩后段测试价，上游客户随之进行库存调整，减少向测试厂下单，在产能利用率逐步走跌之下，测试厂间杀价抢单消息频传。据了解，去年下半年一二八Mb NOR晶片价格由七．五美元跌至六．五美元，跌幅达一三％，后段测试每小时平均价格则由新台币六千元跌至四千五百元左右，跌幅高达二五％，已超过晶片价格跌幅。

    由于去年NOR晶片杀价过头，供应商超微富士通、英特尔等现已停止价格战，六．五美元算是低点。随着市场库去化，以及高阶照相手机或3G手机出货量增加，NOR晶片在新需求带动下，价格已有回稳，包括超微富士通、英特尔、超捷、夏普、NEC等，本月起均开始提高NOR晶片测试订单量，国内测试协力厂如京元电、矽品等，产能利用率均回升至八成五以上满载水位。

    产能利用率再跌风险解除，测试代工价自然也回稳，然随着上游客户释出的代工产品，晶片容量由一二八Mb延伸至二五六Mb，测试时间拉长及难度增加，测试厂也决定将超跌的测试价回涨，目前包括超微富士通、超捷等均已同意。